IGBT雙脈沖測試平臺
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試

品牌： 華科智源
名稱： 雙脈沖測試平臺
型號： PT-1224
用途： 測試動態(tài)參數(shù)

1.1 原理簡述

雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測量過程中各 種動態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種 動態(tài)參數(shù)重要測量手段。同時也是功率元件驅(qū)動及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗證的測量平臺。



1.2 原理框圖







1.3 主要作用

1、測試對比不同 IGBT 的參數(shù)；

2、評估驅(qū)動的功能和性能；

3、獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；

4、開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；

5、評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；

6、IGBT 關(guān)斷時的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；

7、評估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；

8、測量母排和系統(tǒng)的雜散電感。

9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開發(fā)適配版。




電源范圍

0～1000VDC

加熱范圍

室溫～200℃

測試電流

0～2400A

負(fù)載電感

50uH\100uH\200uH\500uH （標(biāo)配 2 種）

脈寬調(diào)制范圍

5～400us

脈寬顯示屏

4 寸


通過此設(shè)備與示波器連接測試項目



開通參數(shù)

關(guān)斷參數(shù)

Frd 反向恢復(fù)參數(shù)

開通最大尖峰電流 Ic-peak max

關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max

最大反向恢復(fù)電流 IRM

開通時間 Ton

關(guān)斷時間 Toff

反向恢復(fù)損耗 Erec

開通延遲 Td-on

關(guān)斷延遲 Td-off

反向恢復(fù)時間 Trr

開通電壓變化率 dv/dt-on

關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off

反向恢復(fù)電荷 Qrr

開通電流變化率 di/dt-on

關(guān)斷電流變化率 di/dt-off

反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak

開通電壓下降時間 tf-v-on

關(guān)斷電壓上升時間 tr-v-off

前沿電流變化率 di/dt-r

開通電流上升時間 tr-i-on

關(guān)斷電流下降時間 tf-i-off

后沿電流變化率 di/dt-f

開通損耗 Eon

Ic 拖尾電流值 It

反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr


Ic 拖尾時間 Tt

最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak


關(guān)斷損耗 Eoff